Publikationen - SPTS Technologies Ltd

  • Zuschlag: Paul Scherrer Institut

    Silicon deep reactive ion etching system (DRIE)

    7. März 2020: Entscheid nach Art. 13 Abs.1 Bst. c VöB

    System zum tiefen reaktiven Ionenätzen von Silizium mit folgenden Merkmalen:
    - austauschbares elektrostatisches Spannsystem für drei Wafergrößen (100, 150, 200 mm),
    - Zuverlässige Endpunkterkennung bei sehr geringer offener Fläche (<2%),
    - Option für stetige Parametererhöhung,
    - gepulste Tieffrequenz Bias-Option für kerbfreie Silicon On Insulator Wafer Verarbeitung,
    - Kontrolle der Plasmaform, ohne dass Änderungen an der Hardware vorgenommen müssen Auftrag für None an SPTS Technologies Ltd




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