Zuschlag 1123815: Silicon deep reactive ion etching system (DRIE)
Publiziert am: 7. März 2020
Paul Scherrer Institut
Entscheid nach Art. 13 Abs.1 Bst. c VöB System zum tiefen reaktiven Ionenätzen von Silizium mit folgenden Merkmalen:
- austauschbares elektrostatisches Spannsystem für drei Wafergrößen (100, 150, 200 mm),
- Zuverlässige Endpunkterkennung bei sehr geringer offener Fläche (<2%),
- Option für stetige Parametererhöhung,
- gepulste Tieffrequenz Bias-Option für kerbfreie Silicon On Insulator Wafer Verarbeitung,
- Kontrolle der Plasmaform, ohne dass Änderungen an der Hardware vorgenommen müssen
| Auftraggeber: |
Dezentrale Bundesverwaltung / öffentlich rechtliche Organisationen
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| Kategorie: | Zuschlag |
| Sprache: | de |
| Tags: |
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| Gruppen: |
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| Untergruppen: |
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| Vergabe: | freihändig |
Zuschlagskriterien
| Gewichtung | Kriterium |
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Berücksichtigte Anbieter
Weitere Informationen
06.03.2020
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Gegen diese Publikation kann gemäss Art. 30 BöB innert 20 Tagen seit Eröffnung schriftlich Beschwerde beim Bundesverwaltungsgericht, Postfach, 9023 St. Gallen, erhoben werden. Die Beschwerde ist im Doppel einzureichen und hat die Begehren, deren Begründung mit Angabe der Beweismittel sowie die Unterschrift der beschwerdeführenden Person oder ihrer Vertretung zu enthalten. Eine Kopie der vorliegenden Publikation und vorhandene Beweismittel sind beizulegen.
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